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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMC2400UV 互補對增強模式 MOSFET 晶體管

型號: DMC2400UV

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMC2400UV
  • 名稱 互補對增強模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT563

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC2400UV

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMC2400UV  該 MOSFET的設(shè)計目的是將導(dǎo)通電阻(RDS(on)),同時保持卓越的切換性能性能,使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMC2400UV
名稱            互補對增強模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            SOT563


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20, 20 V
|VGS| (±V) 12, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.03, 0.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 500, 1000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 700, 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 900, 2000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5, 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.9, 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5, 0.5 nC
CISS Typ (pF) 37, 46 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10, 10 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓,最大值 1.0V
低輸入電容
開關(guān)速度快
超小型表面貼裝封裝

 

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