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企業(yè)號(hào)介紹

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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMG3406L 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMG3406L

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMG3406L
  • 名稱 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG3406L 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMG3406L 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為使導(dǎo)通電阻最小化(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
蓄電池充電
電源管理功能
DC-DC轉(zhuǎn)換器
便攜式電源適配器

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMG3406L
名稱            30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝            SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 50 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 70 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.2 nC
CISS Typ (pF) 495 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


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