--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMG4800LSD
- 名稱 雙 N 溝道增強模式 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 SO-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMG4800LSD 這種MOSFET被設(shè)計為使導(dǎo)通電阻最小化(RDS(ON))同時保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMG4800LSD
名稱 雙 N 溝道增強模式 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 SO-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 16 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.6 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.56 (@5V) nC
CISS Typ (pF) 798 pF
主要特征
100%雪崩額定部件
低RDS(ON)–最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低Qg–最大限度地減少開關(guān)損耗
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