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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN10H170SFG 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN10H170SFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN10H170SFG
  • 名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 POWERDI3333

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN10H170SFG 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN10H170SFG這種MOSFET被設(shè)計(jì)為使導(dǎo)通電阻最小化(RDS(打開(kāi))),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌             DIODES
型號(hào)             DMN10H170SFG
名稱(chēng)             N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地              臺(tái)灣
封裝              POWERDI3333


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 122 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 133 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 14.9 nC
CISS Typ (pF) 870.7 @ 25V pF


主要特征
生產(chǎn)中的100%無(wú)阻尼感應(yīng)開(kāi)關(guān)(UIS)測(cè)試
低RDS(ON)–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸的熱效率封裝使密度最終產(chǎn)品
僅占SO-8板面積的33%較小的最終產(chǎn)品


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