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DMN10H220LFVW 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN10H220LFVW

--- 產品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN10H220LFVW
  • 名稱 100V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®3333-8

--- 產品詳情 ---

DMN10H220LFVW 

產品簡介
DIODES 的 DMN10H220LFVW這種MOSFET被設計為最小化導通電阻(RDS(ON))同時保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應用。

 

產品規(guī)格 
品牌              DIODES
型號              DMN10H220LFVW
名稱              100V N 溝道增強型 MOSFET
產地               臺灣
封裝               PowerDI?3333-8


產品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 11 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
PD @TC = +25°C (W) 41 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 222 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 270 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.4 nC
CISS Typ (pF) 366 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
生產中 100% 未鉗位感應開關 (UIS) 測試
低導通電阻
低輸入電容
開關速度快
低輸入/輸出泄漏
用于改進光學檢測的可潤濕側面


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