產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN10H6D2LFDB這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON））同時保持卓越的切換性能，使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。
小型伺服電機控制
功率MOSFET柵極驅(qū)動器
切換應(yīng)用程序
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN10H6D2LFDB
名稱 雙 N 溝道增強模式 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 U-DFN2020-6
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.27 A
PD @TA = +25°C (W) 1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.2 nC
主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
高漏源電壓額定值
ESD 保護高達 1kV
相關(guān)型號
DMN10H6D2LFDB
DMN10H700S
DMN1150UFB
DMN1150UFL3
DMN11M2UCA14
DMN1250UFEL
DMN1260UFA
DMN12M3UCA6
DMN12M7UCA10
DMN12M8UCA10
DMN13H750S
DMN13M9UCA6
DMN14M8UFDF
DMN15H310SE
DMN15H310SK3
DMN15M3UCA6
DMN15M5UCA6
DMN16M0UCA6
DMN16M8UCA6
DMN16M9UCA6
DMN2004DMK
DMN2004DWK
DMN2004K
DMN2004TK
DMN2004VK
DMN2004WK
DMN2004WKQ
DMN2005DLP4K
DMN2005K
DMN2005LP4K
DMN2005LPK
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
DMN2009LSS
DMN2009UCA4
DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
DMN2011UFX
DMN2011UTS
DMN2012UCA6
DMN2013UFDE
DMN2013UFDEQ
DMN2013UFX
DMN2014LHAB
DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
DMN2016LFG
DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
DMN2020UFCL
