--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMN10H6D2LFDB
- 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 U-DFN2020-6
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN10H6D2LFDB這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。
小型伺服電機(jī)控制
功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
切換應(yīng)用程序
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN10H6D2LFDB
名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.27 A
PD @TA = +25°C (W) 1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.2 nC
主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
高漏源電壓額定值
ESD 保護(hù)高達(dá) 1kV
相關(guān)型號(hào)
DMN10H6D2LFDB
DMN10H700S
DMN1150UFB
DMN1150UFL3
DMN11M2UCA14
DMN1250UFEL
DMN1260UFA
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DMN12M7UCA10
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DMN13H750S
DMN13M9UCA6
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DMN15H310SE
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DMN16M9UCA6
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DMN2009USS
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