--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMN14M8UFDF
- 名稱(chēng) 12V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 U-DFN2020-6
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DMN14M8UFDF 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN14M8UFDF
名稱(chēng) 12V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 9 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 29.5 nC
CISS Typ (pF) 1246 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V
主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占板面積為 4mm2 ? 低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻
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