產(chǎn)品簡介
DIODES 的DMN2005UFG 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2005UFG
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               PowerDI3333-8

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 18 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 50 A
PD @TA = +25°C (W) 2.27 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8.7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 68.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 164 nC
CISS Typ (pF) 6495 pF

主要特征
低RDS（ON）–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸的熱效率封裝使密度最終產(chǎn)品
僅占SO-8板面積的33%較小的最終產(chǎn)品
100%UIS和Rg測試

相關(guān)型號
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
DMN2009LSS
DMN2009UCA4
DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
DMN2011UFX
DMN2011UTS
DMN2012UCA6
DMN2013UFDE
DMN2013UFDEQ
DMN2013UFX
DMN2014LHAB
DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
DMN2016LFG
DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
DMN2020UFCL
DMN2022UFDF
DMN2022UNS
DMN2023UCB4
DMN2024U