--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN2005UFGQ
- 名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 PowerDI3333-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的DMN2005UFGQ 這種MOSFET設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用。它符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),由PPAP,非常適合用于:
電機(jī)控制
負(fù)載開關(guān)
DC-DC轉(zhuǎn)換器
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN2005UFGQ
名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 18 A
PD @TA = +25°C (W) 2.27 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8.7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 68.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 164 nC
CISS Typ (pF) 6495 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低RDS(ON)-確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸熱效封裝實(shí)現(xiàn)更高密度最終產(chǎn)品
占SO-8啟用占用的板面積的33%較小的最終產(chǎn)品
100%無阻尼感應(yīng)開關(guān),在生產(chǎn)中測試-確保更加可靠和穩(wěn)健的最終應(yīng)用程序
相關(guān)型號
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
DMN2009LSS
DMN2009UCA4
DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
DMN2011UFX
DMN2011UTS
DMN2012UCA6
DMN2013UFDE
DMN2013UFDEQ
DMN2013UFX
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DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
DMN2016LFG
DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
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DMN2022UFDF
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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