產(chǎn)品簡介
DIODES 的DMN2011UTS 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN2011UTS
名稱 N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 TSSOP-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 13 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 25 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 24 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 56 nC
CISS Typ (pF) 2248 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻
ESD保護柵極
相關(guān)型號
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
DMN2009LSS
DMN2009UCA4
DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
DMN2011UFX
DMN2011UTS
DMN2012UCA6
DMN2013UFDE
DMN2013UFDEQ
DMN2013UFX
DMN2014LHAB
DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
DMN2016LFG
DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
DMN2020UFCL
DMN2022UFDF
DMN2022UNS
DMN2023UCB4
DMN2024U
