--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMN2024UDH
- 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 U-DFN3030-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2024UDH 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN2024UDH
名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 U-DFN3030-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.76 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 23 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 27 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 34 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 28 nC
CISS Typ (pF) 647 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
ESD保護(hù)柵極
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