DMN2450UFB4Q 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN2450UFB4Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMN2450UFB4Q
名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 X2-DFN1006-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2450UFB4Q這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON））同時(shí)保持卓越的切換性能，使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN2450UFB4Q
名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 X2-DFN1006-3

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1 A
PD @TA = +25°C (W) 0.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 700 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.3 nC

主要特征
占地面積僅為 0.6mm2 – 比 SOT23 小十三倍
0.4 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
低柵極閾值電壓
開關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極

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