--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN3016LFDE
- 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 U-DFN2020-6
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3016LFDE 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN3016LFDE
名稱 N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 U-DFN2020-6
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10 A
PD @TA = +25°C (W) 2.02 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 16 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.1 nC
CISS Typ (pF) 1415 pF
主要特征
0.6mm輪廓–適用于低輪廓應(yīng)用
PCB占地面積4mm2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻
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