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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN3024LK3 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN3024LK3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN3024LK3
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO-252 (DPAK)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3024LK3

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3024LK3 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低狀態(tài)電(RDS(on)),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,是高效電源管理的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN3024LK3
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                TO-252 (DPAK)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14.4 A
PD @TA = +25°C (W) 4.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 24 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 39 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 12.9 nC
CISS Typ (pF) 608 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
切換速度快
低門驅(qū)動(dòng)

 

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