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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN3024SFG 30V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN3024SFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN3024SFG
  • 名稱 30V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 POWERDI3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3024SFG 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3024SFG 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是最大限度地降低狀態(tài)電(RDS(on)),同時保持卓越的開關(guān)性能,是高效電源管理的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN3024SFG
名稱                30V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                POWERDI3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.5 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 23 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 33 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10.5 nC
CISS Typ (pF) 479 pF


主要特征
生產(chǎn)中的100%無阻尼感應(yīng)開關(guān)(UIS)測試
低RDS(ON)–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
體積小、熱效率高的封裝
密度最終產(chǎn)品
僅占SO-8板面積的33%
較小的最終產(chǎn)品

 

相關(guān)型號
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