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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN3028LQ N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管 汽車款

型號(hào): DMN3028LQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN3028LQ
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3028LQ  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3028LQ 這種MOSFET的設(shè)計(jì)滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),并由 PPAP 支持。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN3028LQ
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 68 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10.9 nC
CISS Typ (pF) 680 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
ESD保護(hù)柵極

 

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