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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN3032LE N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN3032LE

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN3032LE
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT223

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3032LE  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3032LE 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是最大限度地降低狀態(tài)電阻(RDS(on)),同時保持卓越的開關(guān)性能,是高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN3032LE
名稱                N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                SOT223


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 35 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.3 nC
CISS Typ (pF) 498 pF

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
切換速度快
低輸入/輸出泄漏

 

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