產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3061S 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN3061S
名稱                N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                SOT23

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.23 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 59 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 98 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 196 (@3.3V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.5 nC
CISS Typ (pF) 233 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

主要特征
低導通電阻
低輸入電容
開關速度快
低輸入/輸出泄漏

相關型號
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