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DMN30H4D0LFDE N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN30H4D0LFDE

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN30H4D0LFDE
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN30H4D0LFDE  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN30H4D0LFDE 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是將導通電阻（RDS（on）），同時保持卓越的切換性能，是高效電源管理的理想選擇應用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN30H4D0LFDE
名稱                N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                 U-DFN2020-6

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 300 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.55 A
PD @TA = +25°C (W) 1.98 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.8 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.6 nC
CISS Typ (pF) 187.3 pF

 

主要特征
0.6mm輪廓–非常適合低輪廓應用
PCB占地面積為4mm2
低柵極閾值電壓
低輸入電容
切換速度快

 

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