--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN33D9LV
- 名稱 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 SOT563
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN33D9LV 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN33D9LV
名稱 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 SOT563
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.35 A
PD @TA = +25°C (W) 0.43 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 7000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.55 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.23 nC
CISS Typ (pF) 48 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 5 V
主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極
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