產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3732UFB4 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應用。

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN3732UFB4
名稱                30V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                 X2-DFN1006-3

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.3 A
PD @TC = +25°C (W) 1.12 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 460 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 560 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 730 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.45 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.9 nC
CISS Typ (pF) 40.8 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

主要特征
適用于薄型應用的 4mm 超薄型封裝
6mm 2封裝尺寸，比 SOT23 小 10 倍
低 V GS(TH) ，可直接由電池驅動
低 R DS（開）
ESD保護柵極

相關型號
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