--- 產品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMP2004UFG
- 名稱 20V P 溝道增強型 MOSFET
- 產地 臺灣
- 封裝 PowerDI® 3333-8
--- 產品詳情 ---

產品簡介
DIODES 的 DMP2004UFG該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS( ON ) ),同時保持卓越的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMP2004UFG
名稱 20V P 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 PowerDI? 3333-8
產品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 115 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 40 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 83 nC
CISS Typ (pF) 3840 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低 R DS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產品
僅占 SO-8 所占電路板面積的 33%,從而實現(xiàn)更小的最終產品
相關型號
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