產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP2007UFG 該 MOSFET 的設(shè)計(jì)旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻（RDS（ON））并保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其非常適合高效率電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMP2007UFG
名稱(chēng) 20V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 POWERDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 18 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 9 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 39 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 85 nC
CISS Typ (pF) 4621 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低RDS（ON）–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸的熱效率封裝使
密度最終產(chǎn)品
僅占SO-8板面積的33%
較小的最終產(chǎn)品
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