--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMP2069UFY4
- 名稱 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 X2-DFN2015-3
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP2069UFY4 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(打開)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMP2069UFY4
名稱 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 X2-DFN2015-3
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.5 A
PD @TA = +25°C (W) 0.53 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 54 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 69 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 90 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9.1 nC
CISS Typ (pF) 214 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
切換速度快
低輸入/輸出泄漏
ESD保護(hù)高達(dá)3kV
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