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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP56D0UFB P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMP56D0UFB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP56D0UFB
  • 名稱 P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 X1-DFN1006-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP56D0UFB 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP56D0UFB 這款新一代 50V P 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合手持式應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP56D0UFB
名稱                  P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                   X1-DFN1006-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 50 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.2 A
PD @TA = +25°C (W) 0.425 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6000 (@4V) mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.58 nC
CISS Typ (pF) 50.54 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
ESD保護門
低輸入/輸出泄漏
快速切換速度

 

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