產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMPH33M8SPSW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMPH33M8SPSW
名稱 30V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI5060-8 (SWP) (Type Q)
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 3.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 40.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 80.8 nC
CISS Typ (pF) 3,775 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
熱效率封裝冷卻器運(yùn)行應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)損耗 < 1.1mm 封裝外形 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
相關(guān)型號
DMP68D0LFB
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DMPH33M8SPSWQ
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DMT10H009LFG
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DMT10H009LK3
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DMT10H009LSS
DMT10H009SCG
DMT10H009SK3
DMT10H009SPS
DMT10H009SSS
