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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMPH33M8SPSWQ 30V P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMPH33M8SPSWQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMPH33M8SPSWQ
  • 名稱 30V P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI5060-8 (SWP) (Type Q)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMPH33M8SPSWQ  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMPH33M8SPSWQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準并得到 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMPH33M8SPSWQ
名稱                  30V P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                   臺灣
封裝                   PowerDI5060-8 (SWP) (Type Q)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 3.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 40.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 80.8 nC
CISS Typ (pF) 3,775 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
熱效率封裝冷卻器運行應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(on) – 最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)損耗 < 1.1mm 封裝外形 – 薄型應(yīng)用的理想選擇

 

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