產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMT10H009LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。該器件非常適合用于筆記本電腦電池電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMT10H009LPS
名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI? 5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 90 A
PD @TA = +25°C (W) 2.9 W
PD @TC = +25°C (W) 104 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 12.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40.2 nC
CISS Typ (pF) 2309 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
熱效率封裝冷卻器運(yùn)行應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
< 1.1mm 封裝外形 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
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