產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMT6007LFG 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMT6007LFG
名稱 60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 POWERDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 80 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
PD @TC = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 8.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 41.3 nC
CISS Typ (pF) 2090 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
低 R DS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
優(yōu)秀的 Q GD × R DS(ON)產(chǎn)品 (FOM)
DC-DC 轉(zhuǎn)換器的先進(jìn)技術(shù)
小尺寸熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
通過實(shí)現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品，僅占用 33% 的電路板面積
100% UIS（雪崩）評(píng)級(jí)
相關(guān)型號(hào)
DMT6007LFG
DMT6007LFGQ
DMT6008LFG
DMT6009LCT
DMT6009LFG
DMT6009LK3
DMT6009LPS
DMT6009LSS
DMT6010LFG
DMT6010LPS
DMT6010LSS
DMT6010SCT
DMT6011LPDW
DMT6011LSS
DMT6012LFDF
DMT6012LFV
DMT6012LPSW
DMT6012LSS
DMT6013LFDF
DMT6013LSS
DMT6015LFV
DMT6015LFVW
DMT6015LPDW
DMT6015LPS
DMT6015LSS
DMT6016LFDF
DMT6016LPS
DMT6016LPSW
DMT6016LSS
DMT6017LDV
DMT6017LFDF
DMT6017LFV
DMT6017LSS
DMT6018LDR
DMT6030LFCL
DMT6030LFDF
DMT615MLFV
DMT616MLSS
DMT61M5SPSW
DMT61M8SPS
DMT64M1LCG
DMT64M1LPSW
DMT64M2LPSW
DMT64M8LCG
DMT64M8LSS
DMT67M8LCG
DMT67M8LCGQ
DMT67M8LK3
DMT67M8LPSW
DMT67M8LSS
DMT68M8LFV
DMT68M8LPS
DMT68M8LSS
DMT69M5LCG
DMT69M5LFVW
DMT69M5LFVWQ
DMT69M5LH3
DMT69M8LFV
DMT69M9LPDW
DMT8007LPSW
DMT8008LFG
DMT8008LK3
DMT8008LPS
DMT8008LSS
DMT8008SCT
DMT8008SK3
DMT8008SPS
DMT8012LFG
DMT8012LK3
DMT8012LPS
DMT8012LSS
DMT8030LFDF
