產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH4008LFDFW 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低
電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH4008LFDFW
名稱(chēng) 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 18 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 14.2 nC
CISS Typ (pF) 1030 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V
主要特征
額定溫度為+175°C–非常適合高環(huán)境溫度環(huán)境
100%無(wú)阻尼感應(yīng)開(kāi)關(guān)，生產(chǎn)測(cè)試-
確保更加可靠和穩(wěn)健的最終應(yīng)用程序
低RDS（ON）–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
0.6mm輪廓–適用于低輪廓應(yīng)用
PCB占地面積4mm2
相關(guān)型號(hào)
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DMTH41M2SPSQ
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DMTH41M8SPSQ
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DMTH43M8LPS
DMTH43M8LPSQ
