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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH4014LDVW 40V +175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH4014LDVW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH4014LDVW
  • 名稱 40V +175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 POWERDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH4014LDVW

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH4014LDVW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS( ON ) ),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                   DIODES
型號                   DMTH4014LDVW
名稱                   40V +175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                   臺灣
封裝                    POWERDI?3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.2 nC


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
低 R DS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
用于改進光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)面


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