--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMTH6016LPD
- 名稱 雙 N 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 PowerDI® 5060-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH6016LPD 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(ON) ),同時保持卓越的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMTH6016LPD
名稱 雙 N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI? 5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.2 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 33.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
PD @TC = +25°C (W) 37.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 19 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17 nC
CISS Typ (pF) 864 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 –
確保最終應用更加可靠和穩(wěn)健
高轉(zhuǎn)換效率
低輸入電容
開關速度快
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