--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMTH6016LSDQ
- 名稱 60V 175°C 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 SO-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH6016LSDQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并得到 PPAP 支持。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH6016LSDQ
名稱 60V 175°C 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 SO-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 19.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17 nC
CISS Typ (pF) 864 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
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