--- 產品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DSS4160FDBQ
- 名稱 60V 雙NPN 低SAT 晶體管
- 產地 臺灣
- 封裝 U-DFN2020-6 (Type B)
--- 產品詳情 ---

產品簡介
DIODES 的DSS4160FDBQ這種雙極結型晶體管(BJT)設計用于滿足汽車應用的要求。
產品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DSS4160FDBQ
名稱 60V 雙NPN 低SAT 晶體管
產地 臺灣
封裝 U-DFN2020-6 (Type B)
產品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN + NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 1
ICM (A) 1.5
PD (W) 1.6
hFE (Min) 290
hFE (@ IC) (A) 0.1
hFE(Min 2) 150
hFE (@ IC2) (A) 0.5
VCE(sat) Max (mV) 120
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.5/50
VCE(sat) (Max.2) (mV) 240
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 1/50
fT (MHz) 175
RCE(sat) (mΩ) 180
主要特征
BV首席執(zhí)行官> 60V
I C = 1A 高連續(xù)集電極電流
R CE( sat) = 180mΩ,可實現(xiàn)低等效導通電阻
低飽和電壓 VCE ( sat) < 220mV @ 1A
P D高達 2.47W,適合高功率應用
R θ JA效率比 SOT26 低 40%
適用于薄型應用的薄型 0.6mm 高封裝
相關型號
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