--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 0.3A
- 導通電阻 2800mΩ @10V, 3000mΩ @4.5v
- 門源電壓 20Vgs
- 門閾電壓 1.6Vth
- 封裝 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 BSN20
絲印 VB162K
品牌 VBsemi
詳細參數(shù)說明
- 類型 N溝道MOSFET
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 0.3A
- 導通電阻 2800mΩ @10V, 3000mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs
- 門閾電壓 1.6Vth
- 封裝 SOT23
應用簡介
BSN20是一款N溝道MOSFET,適用于低壓和低電流的電路應用。其最大耐壓為60V,最大電流為0.3A。雖然其導通電阻相對較高,但在低壓和低電流的應用中表現(xiàn)良好。
該器件適用于多種應用領(lǐng)域,包括但不限于
1. 低壓電源管理模塊 適用于電池供電設備等低壓電源管理電路。
2. 消費電子產(chǎn)品 適用于便攜式設備、智能手機等低功耗應用。
3. 控制模塊 適用于開關(guān)控制電路,如電磁閥控制、電流控制等。
總之,BSN20適用于低壓和低電流應用領(lǐng)域的模塊設計,包括低壓電源管理、消費電子產(chǎn)品和控制模塊等。
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