型號 FDD5614P絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.3Vth 封裝 TO252應用簡介 FDD5614P是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制或負載開關的應用。其最大耐壓為60V，最大電流為38A，具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計，主要包括 1. 電源管理模塊 可用于負極電源開關和正負電源控制的電路。2. 電機驅(qū)動模塊 適用于驅(qū)動小型直流電機或步進電機的控制器。3. 轉換器模塊 可用于直流直流轉換器和逆變器的輸出調(diào)節(jié)?？傊?，F(xiàn)DD5614P適用于負極電壓控制和負載開關等應用領域的模塊設計，包括電源管理、電機驅(qū)動和轉換器模塊等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 38A
- 導通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1.3Vth
- 封裝 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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