型號(hào) SQ9945BEYT1GE3絲印 VBA3638品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 2個(gè)N溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 6A 導(dǎo)通電阻 27mΩ @10V, 32mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.5Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 SQ9945BEYT1GE3是一款具有雙N溝道MOSFET的器件，適用于需要同時(shí)控制多個(gè)N溝道MOSFET的應(yīng)用。其最大耐壓為60V，最大電流為6A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個(gè)領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要包括 1. 電源管理模塊 可用于DCDC變換器、穩(wěn)壓器和電源開關(guān)等。2. 高效逆變器模塊 適用于太陽能逆變器、UPS電源和電動(dòng)車充電器等。3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊 可用于驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)等?？傊琒Q9945BEYT1GE3適用于需要同時(shí)控制多個(gè)N溝道MOSFET的高功率應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，包括電源管理、逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 2個(gè)N溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 6A
- 導(dǎo)通電阻 27mΩ @10V, 32mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1.5Vth
- 封裝 SOP8
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天，為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案，已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF，微碧半導(dǎo)體（VBsemi）推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代，而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛