--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 2個(gè)N溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 6A
- 導(dǎo)通電阻 27mΩ @10V, 32mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1.5Vth
- 封裝 SOP8
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 SQ9945BEYT1GE3絲印 VBA3638品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 2個(gè)N溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 6A 導(dǎo)通電阻 27mΩ @10V, 32mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.5Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡介 SQ9945BEYT1GE3是一款具有雙N溝道MOSFET的器件,適用于需要同時(shí)控制多個(gè)N溝道MOSFET的應(yīng)用。其最大耐壓為60V,最大電流為6A,具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個(gè)領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì),主要包括 1. 電源管理模塊 可用于DCDC變換器、穩(wěn)壓器和電源開關(guān)等。2. 高效逆變器模塊 適用于太陽能逆變器、UPS電源和電動(dòng)車充電器等。3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊 可用于驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)等??傊琒Q9945BEYT1GE3適用于需要同時(shí)控制多個(gè)N溝道MOSFET的高功率應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì),包括電源管理、逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊等。
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