型號 SQD50P0615LGE3絲印 VBE2625品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 50A 導(dǎo)通電阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.76Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡介 SQD50P0615LGE3是一款P溝道MOSFET，適用于負(fù)極電壓控制和負(fù)載開關(guān)的高功率應(yīng)用。其最大耐壓為60V，最大電流為50A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個領(lǐng)域的模塊設(shè)計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于高功率DCDC轉(zhuǎn)換器、逆變器和電池管理系統(tǒng)等。2. 高效功率開關(guān)模塊 可用于高功率負(fù)載開關(guān)和電源控制器。3. 電動工具 適用于驅(qū)動高功率電動工具中的負(fù)極電源控制和負(fù)載開關(guān)?？傊?，SQD50P0615LGE3適用于負(fù)極電壓控制和負(fù)載開關(guān)等高功率應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計，包括電源管理、高效功率開關(guān)模塊和電動工具等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 50A
- 導(dǎo)通電阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1.76Vth
- 封裝 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號：P3004BD-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號：P3003BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-P-Channel VDS：-30V VGS：20（±V） Vth：-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號：P2NK90Z-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：900V VGS：30（±V） Vth：3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號：P2904BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號：P2804EDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號：P2804BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號：P2703BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：30V VGS：20（±V） Vth：1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號：P2610BD-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號：P2610ADG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號：P2504BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域，供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu)，同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件，不再是簡單的備選方案，而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時，微碧半導(dǎo)體（VBsemi）推出的VBM1201M脫穎而出，它
