型號 SQD50P0615LGE3絲印 VBE2625品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 50A 導(dǎo)通電阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.76Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡介 SQD50P0615LGE3是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制和負載開關(guān)的高功率應(yīng)用。其最大耐壓為60V，最大電流為50A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個領(lǐng)域的模塊設(shè)計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于高功率DCDC轉(zhuǎn)換器、逆變器和電池管理系統(tǒng)等。2. 高效功率開關(guān)模塊 可用于高功率負載開關(guān)和電源控制器。3. 電動工具 適用于驅(qū)動高功率電動工具中的負極電源控制和負載開關(guān)?？傊琒QD50P0615LGE3適用于負極電壓控制和負載開關(guān)等高功率應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計，包括電源管理、高效功率開關(guān)模塊和電動工具等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 50A
- 導(dǎo)通電阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1.76Vth
- 封裝 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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