型號 FDT86113LZ絲印 VBJ1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 5A 導(dǎo)通電阻 100mΩ@10V, 120mΩ@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 2~4Vth 封裝 SOT223應(yīng)用簡介 FDT86113LZ是一款N溝道MOSFET，適用于中等電壓和中等電流的應(yīng)用。其最大耐壓為100V，最大電流為5A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個(gè)領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于負(fù)責(zé)電源開關(guān)和負(fù)載開關(guān)控制的電源管理模塊。2. 照明模塊 可用于LED驅(qū)動(dòng)和照明控制。3. 工業(yè)自動(dòng)化模塊 適用于工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中的負(fù)載開關(guān)和電源控制?？傊現(xiàn)DT86113LZ適用于中等電壓和中等電流應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，包括電源管理、照明模塊和工業(yè)自動(dòng)化模塊等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 最大耐壓 100V
- 最大電流 5A
- 導(dǎo)通電阻 100mΩ@10V, 120mΩ@4.5
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 2~4Vth
- 封裝 SOT223
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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