型號 FDD6637絲印 VBE2309品牌 VBsemi參數(shù)說明 MOSFET類型 P溝道 額定電壓(VDS) 30V 額定電流(ID) 60A 開通電阻(RDS(ON)) 9mΩ@10V, 12mΩ@4.5V 閾值電壓(Vth) 1.71V 封裝類型 TO252應用簡介 這款FDD6637 MOSFET是一款高功率P溝道MOSFET，適用于需要高功率開關和控制的應用。它具有較高的額定電流和適中的額定電壓能力，適用于高功率開關和功率轉(zhuǎn)換的應用。這款MOSFET可以廣泛應用于以下領域的模塊 電源管理模塊 適用于高功率開關電源、DCDC變換器、逆變器等功率轉(zhuǎn)換模塊。 電機控制模塊 適用于高功率直流電機驅(qū)動、步進電機驅(qū)動等電機控制模塊。 汽車電子模塊 適用于汽車電池管理、照明控制、電動車控制等高功率汽車電子模塊。 高功率LED照明模塊 適用于高功率LED照明驅(qū)動和控制模塊。總之，F(xiàn)DD6637 MOSFET適用于需要高功率P溝道MOSFET的各種應用場景，提供穩(wěn)定可靠的大電流控制和功率轉(zhuǎn)換功能。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 額定電壓(VDS) 30V
- 額定電流(ID) 60A
- RDS(ON) 9mΩ@10V, 12mΩ@4.5V
- 閾值電壓(Vth) 1.71V
- 封裝類型 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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