型號 IRF9Z24NS絲印 VBL2658品牌 VBsemi參數(shù) P溝道,60V,30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V)；TO263該產(chǎn)品具有以下詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道功率場效應(yīng)管 最大耐壓 60V 最大漏極電流 30A 導(dǎo)通時(shí)的電阻（RDS(ON)） 58mΩ@10V, 70mΩ@4.5V 柵極電壓（Vgs）范圍 ±20V 閾值電壓（Vth）范圍 1V至3V 封裝 TO263該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域模塊 電源開關(guān) IRF9Z24NS可用于電源開關(guān)模塊中，用于電源的控制和轉(zhuǎn)換。 電流控制 適用于需要控制電流的模塊，提供穩(wěn)定的電流放大和電路控制能力。 車輛電子 可用于車輛電子模塊中，如汽車點(diǎn)火控制和電路保護(hù)。 電源管理 適用于電源管理模塊中，實(shí)現(xiàn)電源開關(guān)、電池管理和電路保護(hù)等功能。綜上所述，IRF9Z24NS適用于電源開關(guān)、電流控制、車輛電子和電源管理等領(lǐng)域模塊。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大漏極電流 30A
- RDS(ON) 58mΩ@10V, 70mΩ@4.5V
- 柵極電壓（Vgs） ±20V
- 閾值電壓（Vth）范 1V至3V
- 封裝 TO263
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號：P3004BD-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號：P3003BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-P-Channel VDS：-30V VGS：20（±V） Vth：-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號：P2NK90Z-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：900V VGS：30（±V） Vth：3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號：P2904BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號：P2804EDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號：P2804BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號：P2703BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：30V VGS：20（±V） Vth：1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號：P2610BD-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號：P2610ADG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號：P2504BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域，供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu)，同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件，不再是簡單的備選方案，而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí)，微碧半導(dǎo)體（VBsemi）推出的VBM1201M脫穎而出，它 -
VBE2610N：重塑P溝道功率方案，以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天，為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案，已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF，微碧半導(dǎo)體（VBsemi）推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代，而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛