--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 型號(hào) STD35P6LLF6-VB
- 絲印 VBE2625
- 品牌 VBsemi
- 功能 P溝道功率MOSFET
- 最大工作電壓 -60V
- 開啟電阻(RDS 20mΩ@10V、25m
- 閾值電壓 -1.76Vth(V)
- 封裝 TO252
- 最大工作電流 -50
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào) STD35P6LLF6-VB
絲印 VBE2625
品牌 VBsemi
功能 P溝道功率MOSFET
最大工作電壓 -60V
最大工作電流 -50A
開啟電阻(RDS(ON)) 20mΩ@10V、25mΩ@4.5V、20Vgs
閾值電壓 -1.76Vth(V)
封裝 TO252
應(yīng)用簡介
這種型號(hào)的P溝道功率MOSFET廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域的模塊中
1. 電源供應(yīng)模塊 由于其較大的工作電壓和電流能力,該MOSFET可用于電源供應(yīng)模塊,以控制電流和達(dá)到穩(wěn)定的電壓輸出。
2. 電動(dòng)工具 由于其高效能和低開啟電阻,該MOSFET能夠在電動(dòng)工具中實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)控制,提高工具的效率和性能。
3. 汽車電子 該MOSFET可用于汽車電子模塊中,如電動(dòng)車輛的電動(dòng)驅(qū)動(dòng)模塊,以實(shí)現(xiàn)高效能的電能轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化 在工廠自動(dòng)化系統(tǒng)中,該MOSFET可用于控制電機(jī)和其他高功率裝置,以實(shí)現(xiàn)高效能、高精度的控制。
5. LED照明 由于其低開啟電阻和高工作電流能力,該MOSFET可用于LED照明模塊中,以調(diào)節(jié)和控制LED的亮度和電流。
6. 其他領(lǐng)域模塊 除以上領(lǐng)域外,該MOSFET還可應(yīng)用于各種需求較大功率和控制的電子模塊,如家用電器、醫(yī)療設(shè)備等。
綜上所述,STD35P6LLF6-VB型號(hào)的P溝道功率MOSFET主要用于電源供應(yīng)模塊、電動(dòng)工具、汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化、LED照明以及其他需要較大功率和控制的領(lǐng)域模塊中。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛