型號 NCE60P25K-VB
絲印 VBE2658
品牌 VBsemi
參數(shù)說明
溝道類型 P溝道
額定電壓 -60V
額定電流 -22A
導通電阻 48mΩ@10V, 57mΩ@4.5V
閾值電壓 -1.5Vth(V)
封裝類型 TO252
應用簡介
NCE60P25K-VB是一款具有P溝道結構的功率MOSFET。它具有負向-60V的額定電壓和-22A的額定電流，適用于需要控制P溝道MOSFET進行功率開關的應用場景。該器件的導通電阻在10V電壓下為48mΩ，在4.5V電壓下為57mΩ，能夠提供低電阻和高效能的特性。閾值電壓為-1.5Vth(V)，能夠實現(xiàn)精確控制。
NCE60P25K-VB常用于以下領域模塊
1. 電源管理模塊 該器件可用于電源開關、電源逆變器、DC-DC轉換器等電源管理模塊中，提供高效能、低電阻的開關控制。
2. 馬達驅動模塊 該器件可用于馬達驅動電路，控制馬達的啟動和停止，實現(xiàn)高效能的驅動控制。
3. 照明模塊 該器件可用于LED照明驅動電路，調節(jié)LED的亮度，提供高效能的照明控制。
4. 電源逆變器模塊 該器件可用于電源逆變器電路，實現(xiàn)電能的轉換和變換，提供高效能的逆變控制。
總之，NCE60P25K-VB是一款適用于各種功率開關應用的P溝道MOSFET，具有低電阻、高效能和精確控制等特點，廣泛應用于電源管理、馬達驅動、照明和電源逆變器等領域模塊中。
