--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道類型 N溝道
- 額定電壓 100V
- 額定電流 18A
- 靜態(tài)電阻 115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓 ±20V
- 閾值電壓 1.6V
- 包裝類型 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 15N10 TO252-VB
絲印 VBE1101M
品牌 VBsemi
詳細參數(shù)說明
溝道類型 N溝道
額定電壓 100V
額定電流 18A
靜態(tài)電阻 115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V
門源極電壓 ±20V
閾值電壓 1.6V
包裝類型 TO252
應用簡介
15N10 TO252-VB MOSFET適用于需要高電壓和高電流的應用。它常用于功率放大、開關、逆變器等領域的電路模塊。
這些產(chǎn)品可以用在以下領域模塊上
1. 功率放大器模塊 由于15N10 TO252-VB具有較高的額定電流和電壓,它可以用于放大和驅動高功率信號的功率放大器模塊。
2. 開關模塊 15N10 TO252-VB的高電流和低電阻特性使其成為開關模塊中的理想選擇,能夠在開關電路中高效地切換高功率負載。
3. 逆變器模塊 由于具有較高的額定電壓和電流能力,15N10 TO252-VB可用于逆變器模塊,將直流電轉換為交流電,廣泛應用于太陽能逆變器、電動車充電器等領域。
總之,15N10 TO252-VB MOSFET適用于需要高電壓和高電流驅動的領域模塊,如功率放大器、開關和逆變器模塊
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