--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 極性 2個(gè)P溝道
- 額定電壓 -20V
- 額定電流 -4A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V
- 門源極電壓 ±12V
- 閾值電壓 -1.2V 至 -2.2V
- 封裝類型 SOT23-6
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 FDC6506P-VB
絲印 VB4290
品牌 VBsemi
詳細(xì)參數(shù)說明
極性 2個(gè)P溝道
額定電壓(Vds) -20V
額定電流(Id) -4A
靜態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) 75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V
門源極電壓(Vgs) ±12V
閾值電壓(Vth) -1.2V 至 -2.2V
封裝類型 SOT23-6
應(yīng)用簡介
FDC6506P-VB是一款雙P溝道MOSFET,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域。以下是該產(chǎn)品可能應(yīng)用于的一些領(lǐng)域模塊
1. 電源開關(guān)模塊 由于具有兩個(gè)P溝道MOSFET,F(xiàn)DC6506P-VB可用于電源開關(guān)模塊,如DC-DC變換器和開關(guān)穩(wěn)壓器。這些模塊廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、電子設(shè)備和工業(yè)電源應(yīng)用中。
2. 電池保護(hù) 該MOSFET可用于電池保護(hù)電路,確保電池充電和放電時(shí)的安全和高效。這對于便攜式電子設(shè)備、電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車非常關(guān)鍵。
3. 電池充電管理 在電池充電管理模塊中,F(xiàn)DC6506P-VB可以用于電池充電電路,確保電池充電的高效和安全。這對于電動(dòng)汽車、太陽能充電器和電池儲能系統(tǒng)非常重要。
4. LED驅(qū)動(dòng) 由于其P溝道MOSFET特性,該產(chǎn)品還可以應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)模塊,用于開關(guān)和調(diào)光LED燈。這對于照明系統(tǒng)、商業(yè)照明和照明調(diào)光器非常有用。
5. 電流控制 FDC6506P-VB適用于需要P溝道MOSFET的電流控制模塊,例如電流傳感器和電流源。它可以幫助實(shí)現(xiàn)精確的電流控制。
總之,F(xiàn)DC6506P-VB是一款多功能的雙P溝道MOSFET,適用于多種領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì),包括電源開關(guān)、電池保護(hù)、電池充電管理、LED驅(qū)動(dòng)和電流控制等領(lǐng)域。其高性能和可靠性使其成為許多電子設(shè)備的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛