--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 額定電壓 650v
- 最大持續(xù)電流 4A
- 導(dǎo)通電阻 2560mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍 20V(正負(fù))
- 閾值電壓 3.8V
- 封裝 TO220F
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 STP3NK60ZFP-VB
絲印 VBMB165R04
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 N溝道
額定電壓(Vds) 650V
最大持續(xù)電流(Id) 4A
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) 2560mΩ @ 10V
門源電壓范圍(Vgs) 20V(正負(fù))
閾值電壓(Vth) 3.8V
封裝 TO220F
應(yīng)用簡介
STP3NK60ZFP-VB是一款高壓N溝道場效應(yīng)晶體管(MOSFET),適用于需要高電壓和低電阻的開關(guān)應(yīng)用,如電源開關(guān)、電流控制和逆變器。
詳細(xì)參數(shù)說明
1. 類型 這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正電壓時導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于開關(guān)和調(diào)節(jié)電路中。
2. 額定電壓(Vds) 它可以承受的最大漏極-源極電壓為650V。這表示它可以在高電壓條件下工作。
3. 最大持續(xù)電流(Id) 這款MOSFET的最大電流承受能力為4A。這使它能夠處理適度電流負(fù)載。
4. 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為2560mΩ,這表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻相對較高,可能會有一定的功耗。
5. 門源電壓范圍(Vgs) MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. 閾值電壓(Vth) 這款MOSFET的閾值電壓為3.8V。這是啟動MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。
7. 封裝 這款MOSFET采用TO220F封裝,這是一種常見的功率封裝類型,適用于高功率電子應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域
STP3NK60ZFP-VB這款MOSFET適用于多種需要高電壓和低電阻的電子模塊和設(shè)備,包括但不限于以下領(lǐng)域模塊
1. 電源開關(guān) 可用于高電壓開關(guān)電源,如電壓轉(zhuǎn)換和電源穩(wěn)定。
2. 電機控制 在電機控制器中用于控制電機的速度和方向,特別是用于工業(yè)電機。
3. 電力逆變器 用于逆變器電路,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,如太陽能逆變器和電力逆變器。
4. 高壓電源管理 用于高電壓電源管理和電流控制電路,如工業(yè)控制系統(tǒng)。
5. 電動工具 在需要高壓和低電阻的電動工具中,如電動鉆機和電鋸。
總之,這款高壓N溝道MOSFET適用于需要高電壓和低電阻的電子模塊和設(shè)備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在高壓和高功率應(yīng)用中。
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