型號  SI2371EDS-T1-GE3-VB
絲印  VB2355
品牌  VBsemi
參數(shù)  
 類型  P溝道
 額定電壓（Vds）  -30V
 最大持續(xù)電流（Id）  -5.6A
 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）  47mΩ @ 10V
 門源電壓范圍（Vgs）  20V（正負(fù)）
 閾值電壓（Vth）  -1V
 封裝  SOT23

應(yīng)用簡介  
SI2371EDS-T1-GE3-VB是一款P溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于需要低導(dǎo)通電阻和負(fù)向電壓操作的電子應(yīng)用。它在電源開關(guān)、電池管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

詳細(xì)參數(shù)說明  
1.  類型   這是一款P溝道MOSFET，意味著它在輸入負(fù)向電壓時導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要負(fù)向電壓操作的電路中。

2.  額定電壓（Vds）   它可以承受的最大漏極-源極電壓為-30V。這表示它可以在負(fù)向電壓條件下工作。

3.  最大持續(xù)電流（Id）   這款MOSFET的最大電流承受能力為-5.6A。負(fù)號表示電流流向是從源到漏極。

4.  導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）   RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為47mΩ，表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對較低。

5.  門源電壓范圍（Vgs）   MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。

6.  閾值電壓（Vth）   這款MOSFET的閾值電壓為-1V。這是啟動MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。

7.  封裝   這款MOSFET采用SOT23封裝，這是一種常見的小型封裝類型，適用于緊湊的電路設(shè)計。

應(yīng)用領(lǐng)域  
SI2371EDS-T1-GE3-VB這款MOSFET適用于多種需要低導(dǎo)通電阻和負(fù)向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊  

1.  電源開關(guān)   可用于低電阻負(fù)向電壓電源開關(guān)，如電壓轉(zhuǎn)換和電源控制。

2.  電池管理   可用于電池充電和放電管理，以確保安全和高效的電池使用。

3.  負(fù)載開關(guān)   用于控制負(fù)載的通斷，如LED照明系統(tǒng)、電動工具和電子設(shè)備。

4.  電源保護(hù)   可用于電源保護(hù)電路，以防止過流、過壓等異常情況。

5.  電流控制   可用于電流控制電路，如電池充電器和電流放大器。

總之，這款P溝道MOSFET適用于需要低導(dǎo)通電阻和負(fù)向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，提供電源控制和電流管理的功能，特別是在需要負(fù)向電壓操作的應(yīng)用中。