型號  BUK7675-55A-VB
絲印  VBL1632
品牌  VBsemi
參數(shù)  
 類型  N溝道
 額定電壓（Vds）  60V
 最大持續(xù)電流（Id）  40A
 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）  23mΩ @ 10V
 門源電壓范圍（Vgs）  20V（正負）
 閾值電壓（Vth）  1.9V
 封裝  TO263

應(yīng)用簡介  
BUK7675-55A-VB是一款N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于需要高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻的電子應(yīng)用。它在電源開關(guān)、電機控制、電池管理等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

詳細參數(shù)說明  
1.  類型   這是一款N溝道MOSFET，意味著它在輸入正向電壓時導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要正向電壓操作的電路中。

2.  額定電壓（Vds）   它可以承受的最大漏極-源極電壓為60V。這表示它可以在相對高電壓條件下工作。

3.  最大持續(xù)電流（Id）   這款MOSFET的最大電流承受能力為40A。這使其能夠處理高電流負載。

4.  導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）   RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為23mΩ，表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗非常低。

5.  門源電壓范圍（Vgs）   MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。

6.  閾值電壓（Vth）   這款MOSFET的閾值電壓為1.9V。這是啟動MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。

7.  封裝   這款MOSFET采用TO263封裝，這是一種常見的功率封裝類型，適用于高功率電子應(yīng)用。

應(yīng)用領(lǐng)域  
BUK7675-55A-VB這款MOSFET適用于多種需要高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊  

1.  電源開關(guān)   可用于高電流電源開關(guān)，如電壓轉(zhuǎn)換和電源穩(wěn)定。

2.  電機控制   在電機控制器中用于控制電機的速度和方向，特別是用于工業(yè)電機。

3.  電池管理   可用于電池充電和放電管理，以確保安全和高效的電池使用。

4.  高電流負載開關(guān)   用于高電流負載的通斷控制，如電動工具、電焊機和電動車輛。

5.  電源管理   在需要高電流開關(guān)和電流控制的電源管理電路中使用，如工業(yè)控制系統(tǒng)。

總之，這款N溝道MOSFET適用于需要高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻的電子模塊和設(shè)備，提供電源控制和電流管理的功能，特別是在高功率和高電流應(yīng)用中。