F658-E070MK 高壓-大功率GaN HEMT

GaN HEMT 晶體管

型號： F658-E070MK

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 F658-E070MK
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的SEDI的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。該設(shè)備的目標(biāo)應(yīng)用是低電流和寬帶高電壓應(yīng)用。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 F658-E070MK
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：49.5dBm（典型值）@Psat
高效率：70%（典型值）@Psat
線性增益：21.0dB（典型值）@f=0.9GHz
經(jīng)驗(yàn)證的可靠性

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