SG38K30S-DT1 高壓塑料模GaN HEMT

GaN HEMT 晶體管

型號(hào)： SG38K30S-DT1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號(hào) SG38K30S-DT1
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡介
Sumitomo的GaN HEMT提供高效率、易于匹配，50V高功率放大器具有更高的一致性和更寬的帶寬操作，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常適合3.4至4.2 GHz LTE設(shè)計(jì)要求，因?yàn)樗峁┝烁咴鲆?、長期可靠性和易用性。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是微電池的驅(qū)動(dòng)階段和最終階段基站收發(fā)信臺(tái)。

型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) SG38K30S-DT1
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

型號(hào)參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：Psat=45.5dBm（典型值）
高效：DE=60%（典型值）@Psat
高增益：Gp=15.8dB（典型值）@f=3.8GHz
經(jīng)驗(yàn)證的可靠性

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